簡要描述│↟│:昕虹光電推出了為高功率✘·、大電流QCL晶片(中心波長大於9.5μm)而全新設計的QC-Qube Plus鐳射感測大電流量子級聯鐳射器發射頭·▩,尺寸為70×90×70mm3的鐳射鋁合金遮蔽散熱模組中·▩,集成了高質量進口QCL鐳射晶片✘·、大功率TEC✘·、低噪聲風扇和輸出光束準直透鏡組◕↟☁。配合昕虹QC-2000驅動器·▩,可以快速搭建一套基於QCL的鐳射發射光源·▩,開箱即用·▩,上手方便◕↟☁。
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1.產品簡介
昕虹光電推出了為高功率✘·、大電流QCL晶片(中心波長大於9.5μm)而全新設計的QC-Qube Plus鐳射感測大電流量子級聯鐳射器發射頭·▩,尺寸為70×90×70mm3的鐳射鋁合金遮蔽散熱模組中·▩,集成了高質量進口QCL鐳射晶片✘·、大功率TEC✘·、低噪聲風扇和輸出光束準直透鏡組◕↟☁。更好的適應中遠紅外鐳射在較大的電流下的應用和更精確的控溫◕↟☁。配合昕虹QC-2000驅動器·▩,可以快速搭建一套基於QCL的鐳射發射光源·▩,開箱即用·▩,上手方便◕↟☁。
面對廣大客戶需求·▩,昕虹光電在本次論壇上重磅推出專為高功率✘·、大電流QCL晶片設計的QC-2000量子級聯鐳射屏顯驅動器及QC-Qube Plus量子級聯鐳射發射頭·▩,能夠更好的適應QCL在較大的電流(0-2A)下的應用以及實現更精確的控溫◕↟☁。
無論是實驗室環境還是搭建成套系統·▩,昕虹光電都能為您提供成套解決方案·▩,助您成功◕↟☁。
2.產品特點
• 鐳射感測大電流量子級聯鐳射器發射頭專為高功率✘·、大電流QCL晶片設計
• 單模輸出光功率可達150mW·▩,多模可達數百mW*
• 極低光干涉條紋的準直光束
• 整合大功率半導體 TEC ·▩,強勁製冷能力
*注│↟│:最終鐳射功率取決於鐳射晶片指標·▩,昕虹光電對最終功率保留解釋
3.結構尺寸(單位: mm)
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